就是nand和dram价格疯涨。其中幕后的黑手就是三星,毕竟三星在存储芯片市场的份额非常高,只要联合同为韩国企业的sk海力士,就可以轻易操纵市场。  就是nand和dram价格疯涨。其中幕后的黑手就是三星,毕竟三星在存储芯片市场的份额非常高,只要联合同为韩国企业的sk海力士,就可以轻易操纵市场。

  

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  近年来,长江存储等一批企业起初攻关存储芯片,意图摆脱三星、sk海力士、东芝、镁光、闪迪等厂商的掣肘。然而,三星的两个举措很有可能是在为狙击中国存储芯片做准备。
  一是三星刻意控制产能,防止存储芯片价格下滑。

  因为三星可以控制产量,斩钉截铁导致镁光一些半导体设备厂商的设备出货量在短期内下滑了20%左右。三星之所以要这样做,极有可能是想在国产存储芯片上市前,再大赚一笔钱,存储充实的弹药,为将来和国产存储芯片打价格战做准备。

  

  此外,韩国媒体报道,三星计划扩大韩国平泽工厂。如果国产存储芯片上市之时,三星起初暴产能,而且是最新的第五代v-nand,国产存储芯片将面临技术和成本双重竞争,将会处于非常不利的局面。
  如果三星、sk海力士、镁光、东芝等国外厂商联手绞杀,国产存储芯片将会处于非常尴尬的境地,可能会遭遇比京东方早年还要主要的亏损。中国存储芯片逆袭之路,恐怕不会很顺利,没准也要经历10年内连年亏损这样一个过程。

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